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향후 Ph.2·3 라인 확대 계획…'메모리 초격차' 달성 속도
(서울=연합뉴스) 강태우 기자 = 삼성전자가 10만9천㎡(약 3만3천평) 규모의 최첨단 복합 연구개발 단지를 통해 '메모리 초격차' 달성에 속도를 낸다.
최근 '위기론'이 대두된 후 삼성전자가 '메모리 퍼스트' 전략을 앞세우고 있는 만큼, 새로운 연구개발 단지에서는 고대역폭 메모리(HBM)를 포함한 차세대 D램 연구개발에 역량이 집중될 전망이다.
삼성전자는 18일 경기도 용인 기흥캠퍼스에서 최첨단 복합 연구개발 단지 'NRD-K'(New Research & Development - K)의 설비 반입식을 열었다.
NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설 중인 최첨단 복합 연구개발 단지로 메모리, 시스템, 파운드리(반도체 위탁생산) 등 반도체 전 분야의 기술 연구 및 제품 개발이 모두 이뤄진다.
글로벌 반도체 기업 중 이정도 규모의 별도 연구개발 라인을 갖춘 기업은 소수인 것으로 알려졌다.
이날 설비 반입식이 이뤄진 'NRD-K Ph.1(가명)'는 설비 세팅과 웨이퍼 반입 등의 작업을 마친 뒤 2025년 중순부터 본격적인 R&D 라인 가동에 나설 예정이다.
오는 2030년까지 20조원을 투자하기로 한 삼성전자는 NRD Ph.2·Ph.3도 순차적으로 짓고 연구개발 역량을 확대한다는 전략이다.
무엇보다 이번 R&D 단지의 개소는 어려운 상황 속에서도 끊임없이 투자를 이어온 노력의 결실이라는 평가다.
삼성전자가 반도체 사업을 시작한 기흥캠퍼스에 NRD-K가 터를 잡은 것은 본연의 반도체 기술력 및 경쟁력 강화에 집중하겠다는 의지가 담겼다.
NRD-K는 최첨단 R&D 설비를 갖추고 있으며 동시에 첨단 기술개발의 결과가 제품 양산으로 빠르게 이전될 수 있는 장점이 있다.
반도체 업계 관계자는 "삼성을 포함한 많은 반도체 업체가 양산 라인에서 연구개발 라인을 같이 운영해오고 있는데, 이 때문에 연구개발보다는 양산에 집중되는 경우가 많았다"며 "기흥 NDR-K는 실제 제조라인이 옮겨진 별도의 R&D 공간으로 연구개발에 더욱 집중할 수 있을 것"이라고 밝혔다.
이어 "이를 통해 제품·공정의 수율 및 양산 안정성도 높아질 것으로 기대된다"며 "모든 반도체와 기술을 연구하겠지만 당장은 HBM을 포함한 메모리에 집중될 것으로 보인다"고 설명했다.
NRD-K에서는 우선 연구개발의 무게가 메모리에 실릴 것으로 보인다.
현재 메모리, 시스템 반도체, 파운드리 등 전 분야에서 고전하고 있지만, 특히 HBM을 중심으로 메모리에서 위기론이 터져 나온 만큼 메모리 기술 초격차를 확보해 시장의 우려를 불식시키겠다는 의도로 풀이된다.
삼성전자는 지난달 31일 실적발표 콘퍼런스콜에서 HBM 등 수익성이 높은 인공지능(AI) 메모리에 집중하고, 기존 파운드리(반도체 위탁생산) 턴키(일괄수주) 전략을 수정하는 등 메모리 경쟁력 확보를 위한 메모리 전략을 발표한 바 있다.
세부적으로는 SK하이닉스가 주도하고 있는 HBM과 이와 관련된 패키징 기술 등에 주력할 것으로 전망된다.
김현우 삼성전자 DS부문 CTO 기술기획팀장(부사장)은 최근 연합뉴스가 주최한 '제1회 미래경제포럼'에서 "글로벌 R&D 투자 경쟁이 가속화하고 있다"며 "이곳(기흥 R&D 단지)에서 3차원(3D) D램과 어드밴스드 패키지 신기술 등을 기존보다 훨씬 더 광범위하고 포괄적으로 연구, 개발할 수 있을 것"이라고 말했다.
burning@yna.co.kr
<연합뉴스>
