삼성전자, 세계 최초 '2세대 10나노급 D램' 본격 양산

삼성전자가 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산하고 있다고 20일 밝혔다. 지난해 2월 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연지 21개월만의 일이다.

삼성전자에 따르면 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 약 30% 높여 글로벌 고객의

프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 초격차 경쟁력을 구축했다.

삼성전자는 2012년에 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3 보다 용량/속도/소비전력효율을 2배 향상한 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 응용처 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 돌입할 계획이다.

삼성전자 관계자는 "발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술 한계를 돌파했다"며 "향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 말했다.

김세형 기자 [e-mail]