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삼성전자는 데이터 저장 효율을 크게 높일 수 있는 3비트(bit) 기술을 적용한 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리반도체인 3비트 V낸드를 세계 최초로 양산한다고 9일 밝혔다.
3비트 V낸드는 삼성전자가 지난 5월부터 양산하기 시작한 2세대 V낸드에 3비트 기술을 적용한 10나노미터(㎚, 1㎚=10억분의 1ｍ)급 128기가비트(Gb) 제품이다.
트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시에만 적용됐으며, 수직구조의 V낸드에 적용된 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 기존에 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓음으로써 낸드플래시 미세공정의 한계를 극복한 V낸드를 지난해부터 세계에서 유일하게 양산하고 있다.
이번에 3비트 V낸드의 양산 체제를 갖춰 경쟁사와의 격차를 벌여 당분간 삼성전자의 낸드플래시 분야 독주가 이어질 것으로 전망된다. 삼성전자는 3비트 V낸드 양산으로 솔리드스테이트드라이브(SSD) 라인업을 기존 프리미엄 서버용 제품에서 보급형 PC용 제품까지 대폭 늘려 V낸드 시장을 확대해 나갈 방침이다. SSD는 낸드플래시를 이용해 정보를 저장하는 차세대 저장장치다. 자성물질을 이용한 기존 하드디스크드라이브(HDD)에 비해 안정성이 높고 정보처리 속도가 빨라 노트북을 중심으로 최근 보급이 급속히 확대되고 있다. 박재호 기자 jhpark@sportschosun.com
