SK하이닉스, EUV 활용 10나노급 4세대 D램 본격 양산

SK하이닉스가 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다.

특히, 이번 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV(극자외선을 이용해 빛을 투사해주는 장비) 공정 기술을 통해 양산된다는 의미가 있다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

SK하이닉스는 이번 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 입장이다.

또 SK하이닉스는 신제품 생산성 향상으로 원가 경쟁력이 높아지는 효과를 기대하고 있다. 올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장(부사장)은 "이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라고 밝혔다.


조민정 기자 [e-mail]