삼성전자 세계 최초 ‘10나노급 8기가비트 D램’ 시대 열었다

삼성전자, 세계 최초 '10나노급 8기가비트 D램 양산 ⓒAFPBBNews = News1

삼성전자가 세계 최초로 '10나노급 D램 시대'를 열었다.

삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 5일 밝혔다.

삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어, 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한 번 반도체 미세공정의 한계를 돌파했다.

1나노는 10억분의 1미터로 반도체 회로 선폭을 나타내는 단위로 쓰이는 데, 숫자가 낮을수록 생산성이 높고 처리속도가 빠르지만 만드는데 높은 기술력이 요구된다.

10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속 초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작 속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있어, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%∼20% 절감할 수 있다.

이번 제품에는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술을 적용했다.

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략이다. <스포츠조선닷컴>