삼성, 세계 최초 '4기가바이트 HBM D램' 본격 양산

삼성전자가 세계 최초로 '4기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램'을 본격적으로 양산한다. 4기가바이트(GB) HBM2 D램은 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 게 특징이다.

HBM D램은 TSV 기술을 적용해 D램 칩에 5천개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존 금선을 이용한 D램 패키지에 비해 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로 차세대 초고성능 컴퓨팅 시스템에 최적의 솔루션을 제공한다.

삼성전자에 따르면 4기가바이트 HBM D램은 2세대 HBM규격(HBM2)을 만족하는 제품으로 기존 1세대 규격보다 2배 빠른 속도를 갖추었고 '초절전, 초슬림, 고신뢰성'까지 구현해 차세대 그래픽카드와 초고성능 컴퓨팅 환경이 요구하는 특징을 모두 만족시키는 제품이다.

4기가바이트 HBM2 D램은 초당 256기가바이트의 데이터를 전송해, 현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4기가비트 GDDR5(9Gbps)보다 7배 이상 많은 데이터를 처리하며, 와트당 데이터 전송량을 2배 높여 전력소모도 크게 줄였다. TSV기술을 적용한 적층 형태의 HBM2 D램은 그래픽카드 등에 탑재될 경우 평면상에 D램을 배열해야 하는 GDDR5 대비 D램 실장면적을 95% 이상 줄일 수 있다.

TSV(Through Silicon Via)기술이란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술을 말한다.

삼성전자 관계자는 "차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 차세대 HPC를 적기에 도입하는 데 크게 기여하게 됐다"며 "향후 3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT시장 변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 지속 확보해 나갈 것"이라고 말했다.


김세형 기자 [e-mail]